drifters off to see the world

Si 전력반도체까지 국내 산업은 미미한 수준이었다. 그러나 차세대(SiCㆍGaN) 전력반도체에서는 다른 양상을 보일 것으로 예상된다. 웨이퍼부터 최종 칩까지 전반적인 Value-Chain이 구축될 가능성이 높다. 기술력과 자본력을 보유한 대기 업들의 진입 의지가 핵심 배경 ​ ​ SK그룹: 전력반도체 왕국 구축을 위한 모든 것을 다 갖춰가는 중 ​ 전력반도체 사업의 시작점, SK실트론 차세대(SiCㆍGaN) 전력반도체 산업에서 이전(Si) 대비 가장 큰 변화는 웨이퍼 산업에서 확인된다. 따라서 웨이퍼 제조 Value-Chain을 확보하고 있는 것은 전 체 Value-Chain 수직 계열화 측면에서 유리하다. SK그룹은 웨이퍼 제조 계열사인 SK실트론을 보유하고 있다. 20년 기준 6인치 (150mm) 이..

전력반도체는 직류와 교류를 변환시키는 invertor인 듯 고전압, 고온에서 기동하여야 하므로 기존 Si에서 다른 화합물과 혼합시켜 강도를 높인다는 아이디어 Si반도체가 기존의 Main Stream을 유지하고, SiC가 험한 환경에서 구동하여야 하는 반도체 수요에 대한 Niche Market의 성장을 담당한다는 시나리오 그렇다면 부품으로 분류되어야 하지 않을까? ​ 성장은 담보되었으나, 별도의 시장을 창출하는 정도는 아닌 것 같음. 과도한 multiple이 정당한가? 전기차와 재생에너지는 중국이 주도하고 있음. 따라서 전력반도체 또한 중국업체가 주도하지 않을까? 적어도 Chip에서는 중국이 주도할 가능성이 높다고 보여진다. 따라서 Wafer에서의 Niche Market 정도가 아닐지... ​ Wafer ..

신한금융투자의 21년 10월 및 22년 11월 보고서 ​ 전력반도체 ​ 전자기기 내에서 전력을 다루는 역할 : ① 변환과 변압, ② 분배와 제어 ​ 전력반도체는 Discrete(스위치 소자)와 IC(집적회로)로 분류 최종 완제품은 Discrete와 IC 단독 또는 모듈 형태로 탑재 ​ Discrete는 on-off와 같은 단순 기능을 담당하는 범용적 부품으로, 트랜지스터와 다이오드로 구분된 트랜지스터 제품은 MOSFET과 IGBT가 있고 MOSFET을 대체하기 위해 만들어진 소자가 IGBT다. MOSFET은 고속 동작(스위칭)에 적합하나, 고전류ㆍ고전압 제품군에는 사용이 어렵다 전류 밀도가 높은 IGBT는 고전류와 고전압 상황에서도 적용이 가능하다. 다만 IGBT는 MOSFET 대비 속도가 느리다는 단점..